مع استمرار تطوير DRAM المصغرة ، تركز شركات مثل SK Hynix و Samsung Electronics على تطوير وتطبيق مواد جديدة.
ووفقاً لـ TheElec، تخطط SK Hynix لاستخدام الجيل القادم من مقاومة الأكسيد المعدني من Inpria (MOR) في إنتاج الجيل السادس من DRAM (عملية 1c، حوالي 10nm) ،التي هي المرة الأولى التي يتم فيها تطبيق MOR على عملية إنتاج DRAM بكميات كبيرة.
ذكرت المصادر أن الـ 1c DRAM المنتجة بكميات كبيرة من SK Hynix تحتوي على خمس طبقات فوق بنفسجية متطرفة (EUV) ، سيتم رسم واحدة منها باستخدام MOR."ليس فقط شركة (إس كيه هاينيكس) ولكن أيضاً شركة (سامسونج إلكترونيكس) سوف تسعى إلى مثل هذه المواد غير العضوية""، أضاف.
إنبيريا هي شركة تابعة لشركة كيميائية يابانية JSR وهي رائدة في مجال المقاومة الضوئية غير العضوية.يعتبر MOR الجيل التالي من المقاومة الضوئية المعززة كيميائياً (CAR) المستخدمة حاليًا في التصوير الحجري المتقدم للشرائح.
بالإضافة إلى ذلك، تعمل الشركة مع SK Hynix على أبحاث MOR منذ عام 2022.قالت SK Hynix في وقت سابق أن استخدام Sn (أساس) أكسيد photoresist سيساعد على تحسين أداء الجيل القادم من DRAM وخفض التكاليف.
وأشار تقرير TheElec أيضًا إلى أن سامسونج إلكترونيكس تدرس أيضًا تطبيق MOR على 1c DRAM ، وتطبق سامسونج إلكترونيكس حاليًا ستة إلى سبعة طبقات EUV على 1c DRAM ،بينما مايكرون يطبق طبقة واحدة فقط.
